STB85NF55LT4

STB85NF55LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于55V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C）的连续漏极电流处理能力，能够胜任大功率开关任务。

其技术亮点包括极低的导通电阻，在10V V_GS和40A I_D条件下典型值仅为8毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g典型值110nC @ 5V）确保了快速的开关速度，有助于提升系统频率并减少开关损耗。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装，最大功耗300W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至175°C，提供了出色的热管理和环境适应性。

• 型号:STB85NF55LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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