STP34NM60N

STP34NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）和29A的连续漏极电流（Id）能力，结合先进的芯片技术实现了优异的导通与开关性能平衡。

具体而言，其在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）典型值低至105毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在80nC。这些参数共同确保了器件在导通期间损耗低，且开关速度快、驱动简单，有助于提升整体系统效率。其采用TO-220-3通孔封装，最大结温为150°C，为各种严苛的工业与消费类功率转换应用提供了可靠的解决方案。

• 型号:STP34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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