STB8NM60T4

STB8NM60T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了650V的高漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）能力，专为高效功率开关应用而设计。

其核心优势在于优异的导通性能与开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至1欧姆，配合仅18nC的栅极电荷（Qg），能够显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。器件采用D2PAK封装，支持表面贴装，最大功耗100W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STB8NM60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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