STC5NF30V技术参数详情：
STC5NF30V是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，封装于紧凑的8-TSSOP中。该器件集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道额定值为30V漏源电压和5A连续漏极电流，专为需要高密度布局和高效开关的应用而设计。
其核心优势在于优异的性能平衡：极低的导通电阻（典型值31mΩ @ 2.5A, 4.5V）有效降低了导通损耗，而较低的栅极阈值电压和栅极电荷使其能与3.3V/5V逻辑电路直接兼容，并实现快速开关，提升系统整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠性。
- 型号:STC5NF30V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-TSSOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:31 毫欧 @ 2.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装:8-TSSOP
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