STD100N10LF7AG技术参数详情：
STD100N10LF7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET F7系列。该器件采用DPAK封装，核心参数包括100V漏源电压、80A连续漏极电流，以及在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为9毫欧的极低导通电阻，旨在最大限度地降低传导损耗。
其技术特性还包括最大73nC的栅极电荷和宽泛的-55°C至175°C结温工作范围，这些参数共同确保了器件在高频开关应用中的高效率与高温环境下的高可靠性。这些性能使其非常适用于汽车电机驱动、DC-DC转换器等对功率密度和能效有严格要求的应用。
- 型号:STD100N10LF7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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