STGD6NC60H-1技术参数详情：
STGD6NC60H-1是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道IGBT，采用TO-251（IPAK）封装。该器件核心参数为600V集射极击穿电压和15A最大连续集电极电流，具备21A的脉冲电流能力，为应对瞬时过载提供了保障。
其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关的平衡。在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下，饱和压降Vce(on)最大值仅为2.5V。同时，其开关能量低（开通20J，关断68J），栅极电荷仅为13.6nC，支持较高频率的开关操作，有助于提升系统效率并简化驱动电路设计。
- 型号:STGD6NC60H-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 15A TO-251
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:62.5 W
- 开关能量:20J（导通），68J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:13.6 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns
- 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
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