STD100N3LF3技术参数详情：
STD100N3LF3是意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件额定漏源电压为30V，在25°C壳温下可支持高达80A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流条件下最大值仅为5.5毫欧，能显著降低导通损耗。
此外，其栅极电荷最大值仅为27nC（@5V），结合2.5V的栅极阈值电压，确保了快速、高效的开关性能，并易于由标准逻辑电平驱动。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散为110W，具备出色的热性能和可靠性，适用于高效率DC-DC转换、电机控制及电源管理等高要求应用。
- 型号:STD100N3LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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