STD100NH02LT4技术参数详情：
STD100NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)典型值仅为4.8毫欧 @ 10V, 30A）与高达60A的连续电流处理能力，这使其在传导损耗方面表现卓越。
其电气参数针对低压、大电流开关应用进行了优化，包括24V的漏源电压(Vdss)以及支持标准逻辑电平驱动的低阈值电压。尽管该型号目前已标记为停产，但其设计体现了在高频开关电源和功率管理电路中实现高效率与高功率密度的经典平衡。
- 型号:STD100NH02LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3940 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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