STH272N6F7-6AG

STH272N6F7-6AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET F7技术和H2PAK-6表面贴装封装。该器件设计用于高功率、高效率的开关应用。

其核心电气参数表现突出：漏源电压（V_DSS）为60V，在壳温25°C下连续漏极电流（I_D）高达180A。关键性能指标包括极低的导通电阻（最大值1.5mΩ @ 90A, 10V）和优化的栅极电荷（最大值170nC @ 10V），这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

此外，该器件符合AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备333W（T_C）的功率耗散能力，适用于要求高可靠性和鲁棒性的汽车及工业电源应用。

• 制造商产品型号：STH272N6F7-6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET F7
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 90A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11000pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2PAK-6
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