STD105N10F7AG技术参数详情：
STD105N10F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其优异的电气特性平衡：在100V漏源电压和80A连续漏极电流的规格下，实现了低至8毫欧（@10V，40A）的导通电阻与61nC（@10V）的栅极电荷，这共同保障了系统的高效率与快速开关性能。
其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和120W的最大功率耗散能力，使其能够适应汽车及工业环境中严苛的温度与功率要求。这些特性使其成为汽车电机驱动、DC-DC电源转换及各类功率开关应用的可靠解决方案。
- 型号:STD105N10F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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