STD10NF10T4技术参数详情：
STD10NF10T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术和DPAK表面贴装封装。其核心卖点在于优异的电气性能平衡：提供100V的漏源电压和13A的连续漏极电流处理能力，同时将导通电阻（Rds(on)）在典型条件下控制在极低的130毫欧，有效降低了导通损耗。
该器件具备快速的开关特性，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数优化，有助于提升开关频率和效率。宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和50W的功率耗散能力确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为中压、中电流应用场景下高效功率开关的理想选择。
- 型号:STD10NF10T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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