STI21N65M5

STI21N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，其核心优势在于650V的漏源击穿电压（V_DSS）与低至179mΩ（最大值）的导通电阻（R_DS(on)）的优异结合，这得益于其先进的电荷平衡技术，能显著降低传导损耗。

在25°C壳温下，器件可支持高达17A的连续漏极电流，并采用标准的10V栅极驱动电压。其较低的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换，从而优化开关损耗。封装形式为通孔式I2PAK，最大功率耗散为125W，工作结温高达150°C，确保了在工业级功率应用中的鲁棒性和热可靠性。

• 型号:STI21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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