STD10NF30技术参数详情：
STD10NF30是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装，并符合汽车级AEC-Q101标准。其核心优势在于300V的高漏源电压（Vdss）与10A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
该器件采用MESH OVERLAY技术，实现了优异的电气性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）低至330毫欧（@5A,10V），有效降低了导通损耗。同时，栅极电荷（Qg）仅为23nC（@10V），结合较低的输入电容，确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）进一步保障了其在严苛环境下的可靠运行。
- 型号:STD10NF30
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:780 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:103W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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