STF21NM60ND技术参数详情：
STF21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的电压与电流处理能力。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V Vgs条件下导通电阻（Rds(on)）典型值低至220毫欧，同时栅极电荷（Qg）仅为60nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有效降低了传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件采用TO-220FP封装，最大功率耗散为30W，最高结温达150°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠运行。
- 型号:STF21NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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