STD10P6F6技术参数详情：
STD10P6F6是ST意法半导体DeepGATE系列中的一款P沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术，封装形式为表面贴装型DPAK。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案。
其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。关键优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)最大值160mΩ @ 5A, 10V）和极低的栅极电荷（Qg最大值6.4nC @ 10V），这共同确保了在开关应用中具有较低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件支持高达175°C的结温，保证了在高温环境下的稳定运行。
- 型号:STD10P6F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P CH 60V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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