STW63N65DM2技术参数详情：
STW63N65DM2是意法半导体推出的FDmesh II Plus系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压与60A的高连续漏极电流处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的性能平衡。得益于先进的FDmesh II Plus技术，它在保持高耐压的同时，具备较低的栅极电荷（典型值145nC @ 100V），这直接带来了更快的开关速度和更低的开关损耗。这种低导通损耗与低开关损耗的结合，使其成为提升系统整体能效和功率密度的关键元件。
- 型号:STW63N65DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 65A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW63N65DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
