STD10PF06T4

STD10PF06T4是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，封装为表面贴装型DPAK。其核心电气参数包括60V的漏源电压（V_DSS）和10A（T_C）的连续漏极电流，适用于中等功率的开关与控制应用。

该器件的显著优势在于优异的导通与开关特性平衡。其在10V V_GS下的导通电阻（R_DS(on)）低至200毫欧（@5A），有效降低了传导损耗。同时，最大21nC的栅极电荷（Q_g @10V）确保了快速的开关速度与较低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率与频率性能。

• 型号:STD10PF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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