STD11N65M5

STD11N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能MDmesh V产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（V_DSS）与低导通电阻（R_DS(on)）的出色组合，能够在高压应用中有效降低导通损耗。

其技术参数针对高效开关应用进行了优化，包括较低的栅极电荷和输入电容，这有助于实现快速开关并减少开关损耗。该器件在壳温25°C下可支持9A的连续漏极电流，最大结温达150°C，提供了稳健的功率处理能力和工作可靠性，适用于要求高功率密度和高效能的电源转换解决方案。

• 型号:STD11N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 9A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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