STP8NK100Z

STP8NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其1000V的高漏源击穿电压（V_DSS）与低至1.85Ω的导通电阻（R_DS(on)）的优异组合，这使其在高压应用中能显著降低导通损耗，提升电源转换效率。

器件在25°C管壳温度下可承受6.5A的连续漏极电流，并支持高达160W的功率耗散，配合TO-220AB封装，具备出色的电流处理能力和散热性能。其栅极驱动设计简便，标准10V驱动电压下栅极电荷（Q_g）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动和功率转换系统中高效、可靠的高压开关解决方案。

• 型号:STP8NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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