STD11NM65N技术参数详情：
STD11NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），专为高效功率开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优化组合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为455毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大29nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统频率并减少开关损耗。器件支持高达150°C的结温工作，具备出色的热性能和可靠性。
- 型号:STD11NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:455 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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