STD120N4F6

STD120N4F6是意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于结合了STripFET VI与DeepGATE技术，在40V的漏源电压（Vdss）下，实现了极低的导通电阻（典型值4mΩ @ 40A, 10V）与高电流承载能力（连续漏极电流80A @ Tc）。

该器件具备优异的开关性能，栅极电荷（Qg）最大值仅为65nC，有助于降低开关损耗并提升效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和高达110W（Tc）的功率耗散能力，确保了在汽车及工业等严苛环境下的长期稳定运行。这些特性使其成为高可靠性电源管理、电机驱动及负载开关应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STD120N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD120N4F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。