STP6N52K3

STP6N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气规格包括525V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下5A的连续漏极电流（Id）承载能力。

该MOSFET在10V栅极驱动下展现出较低的导通电阻（最大值1.2欧姆 @ 2.5A），有助于减少导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为26nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为70W（Tc），最高工作结温为150°C，为高压功率转换设计提供了可靠的解决方案。

• 型号:STP6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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