STD130N6F7技术参数详情：
STD130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，设计用于表面贴装应用，其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性平衡。
该MOSFET具备60V的漏源电压（Vdss）额定值和高达80A（Tc）的连续漏极电流处理能力。其关键技术参数包括：在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为5毫欧（@40A），这确保了极低的传导损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在42nC（@10V），有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。
- 型号:STD130N6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD130N6F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
