STGB20M65DF2技术参数详情：
STGB20M65DF2是意法半导体推出的一款650V、40A沟槽型场截止IGBT，采用表面贴装DPak封装。该器件核心优势在于其低损耗特性，在20A电流、15V栅极驱动下的典型饱和压降仅为2V，同时具备优化的开关性能（开启/关断延迟时间短，开关能量低），旨在提升中高功率应用的效率与功率密度。
其设计兼顾了高性能与易用性，标准输入类型和63nC的栅极电荷简化了驱动电路设计。宽结温工作范围（-55°C 至 175°C）和166W的功率处理能力，结合封装良好的热性能，确保了其在工业电机驱动、UPS、太阳能逆变器等严苛应用环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STGB20M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:166 W
- 开关能量:140J（导通），560J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:63 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
- 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):166 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- 现在可以订购STGB20M65DF2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
