STD150N2LH5技术参数详情：
STD150N2LH5是ST意法半导体生产的一款采用DPAK封装的N沟道MOSFET，属于晶体管- FET，MOSFET - 单个系列。该器件专为功率开关应用设计，其封装形式提供了良好的散热性能和适用于自动化贴装的物理接口。
尽管其详细电气参数如漏源电压、连续漏极电流及导通电阻等需参考完整技术文档，但作为ST的功率器件，其核心价值在于在特定电压电流范围内实现高效的功率控制与转换。该产品目前已处于停产状态，适用于对现有设备的维护或备件采购，在新项目选型时需评估替代方案。
- 制造商产品型号：STD150N2LH5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
- 现在可以订购STD150N2LH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
