STS4DNF60L技术参数详情：
STS4DNF60L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，封装于紧凑的8-SOIC中。该器件集成了两个独立的MOSFET，每个通道具备60V的漏源电压和4A的连续电流处理能力，为空间受限的设计提供了高效的集成解决方案。
其核心优势在于优异的开关性能与低导通损耗。最大55毫欧的导通电阻确保了高效的功率传输，而最大2.5V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V/5V逻辑电路驱动，简化了系统设计。此外，低至15nC的栅极电荷有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频应用场景。
- 型号:STS4DNF60L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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