STD155N3LH6

STD155N3LH6是意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术，封装为D2PAK。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS下仅3毫欧（@40A），配合80nC的低栅极电荷，实现了优异的传导与开关效率平衡。

该器件额定值为30V V_DSS和80A连续漏极电流（T_C），具备±20V的栅极电压耐受能力和高达175°C的工作结温，确保了在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。这些特性使其成为同步整流、高频DC-DC转换及电机驱动等高效能功率开关应用的理想选择。

• 型号:STD155N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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