STD15N60DM6

STD15N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh技术制造，封装形式为DPAK。该器件核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Tc），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、6A Id条件下典型值低至338毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为15.3nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为高效率开关电源设计的理想选择。

• 型号:STD15N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:338 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:607 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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