L6385技术参数详情：
L6385是ST意法半导体推出的一款高压半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC中的栅极驱动器系列。该器件集成了独立的高侧和低侧驱动通道，专为驱动IGBT及N沟道MOSFET而优化，其高压侧可承受高达600V的浮动电压，并具备快速开关能力（典型上升/下降时间为50ns/30ns），能有效提升功率级的开关效率。
其核心参数包括17V的最大驱动供电电压、650mA/400mA的强峰值输出电流，以及兼容性强（VIL/VIH为1.5V/3.6V）的反相逻辑输入。这些特性使其能够直接接口微控制器，可靠地驱动半桥拓扑中的功率开关管。器件采用8引脚Mini-DIP通孔封装，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，适用于要求高鲁棒性的工业环境。
- 型号:L6385
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-迷你型 DIP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
- 现在可以订购L6385，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
