STD15P6F6AG技术参数详情：
STD15P6F6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET，属于STripFET F6产品系列。该器件采用DPAK封装，核心参数包括60V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id），能够满足中等功率开关应用的需求。
其技术亮点在于通过先进的工艺实现了优异的效率平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，同时栅极电荷（Qg）仅为6.4nC，这共同确保了较低的导通损耗和快速的开关性能，有助于提升系统整体能效。高达175°C的结温额定值和35W的功率耗散能力，为其在汽车及工业等严苛环境下的高可靠性运行提供了保障。
- 型号:STD15P6F6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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