STD16N65M2

STD16N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括650V的漏源电压（V_DSS）以及在壳温条件下11A的连续漏极电流（I_D），为高压应用提供了坚实的耐压和载流基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态参数上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）表现优异，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）有效减少了开关损耗，提升了整体能效。这些特性使其非常适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动及逆变器等要求高效率和高可靠性的功率转换场景。

• 型号:STD16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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