STF34N65M5技术参数详情：
STF34N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Tc=25°C），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧，这能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值70nC）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性使其成为高效率开关电源、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动和UPS等应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STF34N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2590 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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