STD17NF03L-1技术参数详情：
STD17NF03L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡。
其关键电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达17A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为50毫欧，有效降低了功率损耗。同时，较低的栅极阈值电压（Vgs(th)）和仅6.5nC（@5V）的栅极电荷（Qg），使其易于被标准逻辑电平驱动并实现快速开关，适用于高效率电源转换。
该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备良好的环境适应性，主要面向DC-DC转换、电机驱动及电池管理等低压、大电流开关应用场景。
- 型号:STD17NF03L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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