STD17NF03LT4技术参数详情：
STD17NF03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，封装为表面贴装型DPAK。该器件设计用于低压、大电流的开关应用，其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达17A（Tc）的连续漏极电流能力，提供了坚实的功率处理基础。
其关键性能优势体现在极低的导通损耗与出色的开关特性上。在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为50毫欧 @ 8.5A，有效降低了导通状态功耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至6.5nC @ 5V，结合较低的输入电容，确保了快速开关速度与低驱动损耗，非常适合高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C TJ）进一步保障了其在各种环境下的可靠运行。
- 型号:STD17NF03LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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