STD40NF03LT4技术参数详情：
STD40NF03LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）和高达40A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够胜任中功率级别的开关任务。
该器件的关键技术卖点在于其极低的导通损耗与优异的开关性能。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至11毫欧（@20A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC（@5V），这有效平衡了传导损耗与开关损耗，有助于提升整体电源转换效率。其宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和80W（Tc）的功率耗散能力，确保了在各类环境下的稳定可靠运行。
- 型号:STD40NF03LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD40NF03LT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
