STD18NF03L技术参数详情：
STD18NF03L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡，在30V的漏源电压（Vdss）下，可支持高达17A（Tc）的连续漏极电流。
该器件在10V栅极驱动下具有极低的导通电阻，同时其栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）均维持在较低水平，这共同确保了在高频开关应用中实现低导通损耗与低开关损耗。其2.2V的最大栅极阈值电压使其易于被5V逻辑电平驱动，简化了电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和30W（Tc）的功率耗散能力，进一步保障了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STD18NF03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.5 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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