STI200N6F3技术参数详情：
STI200N6F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用I2PAK（TO-262）通孔封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。
其关键电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流额定值。最突出的特性是在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.8毫欧（@60A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其330W（Tc）的最大功率耗散能力和-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了其在严苛功率应用中的可靠性与稳定性。
- 型号:STI200N6F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-262（I2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:101 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6265 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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