STD1NK60-1技术参数详情：
STD1NK60-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与1A连续漏极电流（Id），专为高压、小功率开关应用而优化。
其技术亮点在于平衡了高压耐受能力与开关性能。得益于SuperMESH技术，它在保持高击穿电压的同时，实现了较低的导通电阻（8.5Ω @10V, 500mA）和极小的栅极电荷（10nC @10V）。这些特性共同确保了较低的传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体能效。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也增强了其在各种环境下的适用性与可靠性。
- 型号:STD1NK60-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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