STW32N65M5技术参数详情：
STW32N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至119毫欧的导通电阻（Rds(on)）（条件：10V， 12A），这显著降低了导通损耗，提升了功率转换效率。
器件在25°C壳温下可支持高达24A的连续漏极电流，最大结温为150°C，确保了在高温环境下的稳定运行能力。其72nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关特性，适用于高频开关应用。这些参数使其成为工业电源、UPS、光伏逆变器等高压、高功率密度设计的理想功率开关选择。
- 型号:STW32N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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