STD1NK60T4

STD1NK60T4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和1A的连续漏极电流（Tc）。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为8.5欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至10nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，有助于同时降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围工作，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STD1NK60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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