STDLED625技术参数详情：
STDLED625是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件核心特性包括620V的漏源电压(Vdss)和5A的连续漏极电流(Id)，能够满足中高功率应用对耐压和电流承载能力的要求。
其技术参数突出了高效开关性能，在10V驱动电压下导通电阻(RdsOn)较低，同时最大栅极电荷(Qg)仅为35nC，这有助于降低开关损耗并提升整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，热性能可靠，适用于需要长期稳定运行的场景。
- 制造商产品型号：STDLED625
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 5A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK
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