STD20NF06LAG技术参数详情：
STD20NF06LAG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装，属于符合AEC-Q101标准的汽车级STripFET II产品系列。其核心优势在于优异的导通与开关特性，具备60V漏源电压和24A连续电流处理能力。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻低至40毫欧（@12A），能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷小（13nC @5V），支持高速开关操作，有助于提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在恶劣环境下的高可靠性，适用于汽车电机控制、电源转换及工业开关等严苛应用。
- 型号:STD20NF06LAG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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