STD20NF06LT4

STD20NF06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，核心优势在于其优异的电气性能平衡：提供60V的漏源电压（Vdss）和24A的连续漏极电流（Id）处理能力，同时实现了极低的导通电阻（Rds(on)典型值为40mΩ @ 10V, 12A）和栅极电荷（Qg最大13nC @ 10V）。

这种特性组合使其在导通损耗和开关损耗方面均有出色表现，能够显著提升功率转换效率。其2.5V的最大阈值电压确保了与标准逻辑电平驱动的兼容性，宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）则保证了其在严苛环境下的可靠性。该器件专为高效率的开关电源、电机驱动和功率管理应用而优化。

• 型号:STD20NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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