STF25NM60ND

STF25NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和21A（Tc）连续漏极电流，专为高压、高电流开关应用而优化。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡，导通电阻（Rds(on)）典型值低至160毫欧（@10.5A, 10V），栅极电荷（Qg）最大值仅为80nC。这一组合特性有助于显著降低功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，并具备±25V的宽栅极驱动电压范围，确保了在工业电源、电机驱动等严苛环境下的应用鲁棒性。

• 型号:STF25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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