STD25NF10LA技术参数详情：
STD25NF10LA是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心规格包括100V的漏源电压(Vdss)以及在壳温条件下25A的连续漏极电流(Id)能力，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流处理基础。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大仅为35毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷(最大52nC)有助于简化驱动设计并显著减少开关损耗，从而提升系统整体效率。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。
- 型号:STD25NF10LA
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1710 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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