STD26P3LLH6技术参数详情：
STD26P3LLH6是STMicroelectronics推出的一款采用STripFET VI和DeepGATE技术的P沟道功率MOSFET。该器件在30V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达12A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为30毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。
其设计针对高效开关应用进行了优化，最大栅极电荷（Qg）低至12nC @ 4.5V，且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.5V，使其能够兼容低电压逻辑信号并实现快速开关，从而减少开关损耗。器件采用DPAK表面贴装封装，最高结温为175°C，确保了在紧凑空间内的高功率处理能力和长期可靠性，适用于各类电源管理、负载开关及电机控制电路。
- 型号:STD26P3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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