STP25N10F7

STP25N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VII系列。该器件核心参数包括100V的漏源电压（V_DSS）和25A（T_C）的连续漏极电流，为设计提供了坚实的功率处理基础。

其核心卖点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值低至35毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（14nC @10V）和输入电容确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率并降低驱动需求。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的优选器件。

• 型号:STP25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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