STD27N3LH5技术参数详情：
STD27N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET V技术与DPAK封装。该器件核心优势在于其极低的导通电阻与优异的开关特性，在10V Vgs、13.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为19mΩ，同时栅极电荷（Qg）低至4.6nC，有效降低了导通与开关损耗，提升了系统整体效率。
其电气规格针对低压大电流应用进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）和高达27A（Tc）的连续漏极电流处理能力。宽泛的栅源电压耐受范围（±22V）与宽广的工作结温（-55°C ~ 175°C）进一步保障了其在复杂应用环境下的可靠性与鲁棒性，适用于要求高效率与高功率密度的电源管理解决方案。
- 型号:STD27N3LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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