STF4N52K3技术参数详情：
STF4N52K3是意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。其核心优势在于高达525V的漏源击穿电压（Vdss）与低至2.6欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在2.5A的连续漏极电流下能有效降低导通损耗。
器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为11nC，栅极驱动电压为10V，这有助于实现快速开关并降低驱动电路的复杂性。其设计支持最高150°C的结温（TJ）和20W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源初级侧、PFC及电机驱动等中功率高压应用的理想选择。
- 型号:STF4N52K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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