STD2HNK60Z-1技术参数详情：
STD2HNK60Z-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251（I-PAK）通孔封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合优化的技术实现了较低的导通电阻和栅极电荷，为高压开关应用提供了高可靠性与高效率的解决方案。
其电气参数针对节能应用进行了优化，在10V栅极驱动下导通电阻表现良好，最大栅极电荷仅为15nC，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗达45W，确保了在各类功率转换场景下的稳健性能。
- 型号:STD2HNK60Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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